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IXFH 7N80
IXFM 7N80
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
10
9
8
V DS = 500V
I D = 3.5A
I G = 10mA
10
Limited by R DS(on)
10μs
100μs
7
6
5
1ms
4
3
2
1
0
1
0.1
10ms
100ms
0
10
20
30
40
50
60
70
80
1
10
100
1000
Gate Charge - nCoulombs
Fig.9 Capacitance Curves
V DS - Volts
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
2750
2500
2250
2000
1750
C iss
9
8
7
6
1500
1250
1000
750
500
250
0
C oss
C rss
f = 1MHz
V DS = 25V
5
4
3
2
1
0
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0
5
10
15
20
25
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
V CE - Volts
Fig.11 Transient Thermal Impedance
D=0.5
V DS - Volts
0.1
0.01
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
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? 2000 IXYS All rights reserved
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